Паўднёвакарэйская кампанія Hynix Semiconductor абвясціла аб распрацоўцы чыпа аператыўнай памяці DDR SDRAM, прызначанага для выкарыстання ў партатыўных ПК.

Аб'ём чыпа складае 512 Мбіт, працоўная частата – 185 Мгц. Таксама прысутнічае падтрымка тэхналогіі ECC, якая гарантуе цэласнасць дадзеных. Чып выкананы па 80-нм тэхпрацэсу і спраектаваны спецыяльна для працы з мабільнымі прыкладаннямі. Масавае вытворчасць такіх SDRAM-чыпаў намечана на другую палову 2007 года, а першыя ўзоры з'явяцца ўжо ў пачатку трэцяга квартала.

Hynix сцвярджае, што, працуючы на частаце 185 Мгц, чып характарызуецца прапускной здольнасцю дадзеных да 1,5 Гбайт/з пры ўмове працы ў 32-бітным рэжыме. З дапамогай тэхналогій, якія зніжаюць энергаспажыванне чыпа, удалося дамагчыся зніжэння энергазатрат амаль на 50%, што так неабходна для шырокага дыяпазону мабільных прыкладанняў. Сярод асаблівасцяў чыпа асабліва вылучаюцца такія тэхналогіі як TCSR (temperature compensated self refresh), PASR (partial array self refresh) і DPD (deep power down). Калі ў працягу доўгага перыяду да модулю памяці не паступае ніякіх запытаў на чытанне/запіс, то актывуецца рэжым DPD, які значна памяншае расход энергіі. З дапамогай TCSR чып здольны падладжваць частату абнаўлення ў залежнасці ад змены тэмпературы. Рэжым працы памяці PASR таксама закліканы скараціць энергаспажыванне.

У бліжэйшых планах Hynix значыцца выпуск інтэграваных рашэнняў тыпу multi-chip package (MCP) або package-on-package (PoP) на базе новага чыпа. Чакаецца, што на адной мікрасхеме будуць суседнічаць памяць адразу двух тыпаў – DDR SDRAM і NAND Flash. На думку вытворцаў, інтэграваныя чыпы PoP – гэта ідэальнае рашэнне на сённяшні дзень для мабільнікаў, лічбавых камер, MP3-плэераў.